惠普下一代內(nèi)存技術(shù)獲獎取代閃存和DRAM
2011/5/17 8:47:03
據(jù)國外媒體報道，惠普研發(fā)人員已經(jīng)在“憶阻器”下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破，一些人認為它可能會替代當今普遍應用的閃存和DRAM技術(shù)。
惠普研發(fā)人員在周一《納米技術(shù)》雜志中提到，他們已經(jīng)掌握了電氣操作過程中“憶阻器”內(nèi)部發(fā)生變化時的基本化學性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。
惠普高級研究員StanWilliams說，在此前，盡管工作的憶阻器已在實驗室制成，但是研 發(fā)人員并不清楚在微小結(jié)構(gòu)內(nèi)部發(fā)生了什么。當惠普有信心可以將此項技術(shù)商業(yè)化時，這一發(fā)現(xiàn)將極大地提高計算機和內(nèi)存的性能。
憶阻器先是由加州大學一個教授提出來的。在此之前，研究人員只知道3個基本電路原件——電阻器，電容器和電感器。幾十年后，惠普的研發(fā)人員證明了憶阻器是真實存在的，并進一步證明其可以在2個或2個以上電阻之間來回切換，這將使得在數(shù)字運算時，他們可以代表1或0。有憶阻器的內(nèi)存類型叫做ReRAM,具有非易失性的特點。這意味著在電源關閉后設備可以保存這些數(shù)據(jù)。但對比DRAM，電源關閉后，存儲的數(shù)據(jù)會丟失。
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